[00031570]一种氧化镱掺杂低温制备PZT基压电陶瓷
交易价格:
面议
所属行业:
其他新材料技术
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201611176135.9
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
四川大学
所在地:四川 成都市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种氧化镱掺杂低温烧结高压电性PZT基陶瓷材料及其制备方法,该压电陶瓷的通式为xPb(Ni1/3Nb2/3)O3–yPb(Mg1/2W1/2)O3–(1–x–y)Pb(Zr0.3Ti0.7)O3+u