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[00031587]一种大面积纳米缝隙阵列及其制作方法

交易价格: 面议

所属行业: 纳米及超细材料

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201611072696.4

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 四川大学

所在地:四川 成都市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明公开了一种用于大面积纳米缝隙阵列的制作方法,涉及微纳加工领域。将角度沉积的阴影效应与基底旋转结合起来,通过调节基底的旋转速度、纳米掩模结构、沉积角度及沉积速度参数相互配合,制作新型且大面积的纳米缝隙阵列结构。并且利用本发明所公开的技术,以光栅为沉积掩模基底,已经制作出大面积周期性纳米缝隙阵列结构。

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