[00031933]单畴区大面积有序纳米阵列结构嵌段共聚物薄膜的制备方法

交易价格： 面议

所属行业： 纳米及超细材料

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610361949.3

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：四川大学

所在地：四川成都市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明涉及一种单畴区大面积有序纳米阵列结构嵌段共聚物薄膜的制备方法，通过原子转移自由基聚合方法合成一种窄分子量分布的具有热力学稳定体心立方结构的嵌段共聚物，选择低表面能疏水的碳膜为基地，通过浇铸成膜方法制备出一种单畴区大面积有序纳米整列结构嵌段共聚物薄膜材料。该发明利用热力学稳定的非连续相无空间各向异性的体心立方结构的嵌段共聚物的自组装特点，实现了大面积有序纳米阵列结构嵌段共聚物薄膜的构建，在纳米模版与纳米光刻等领域具有重要的潜在应用价值。

[00031933]单畴区大面积有序纳米阵列结构嵌段共聚物薄膜的制备方法

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