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[00033111]一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201210298122.4

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 重庆大学

所在地:重庆 重庆市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要:本发明公开了一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件,涉及一种半导体功率器件,包括衬底P型硅层、有源顶层硅和槽型场氧,有源硅层包含有纵向沟道、N-漂移区、P型硅区,以及埋于整个衬底表面的N+漏区;本发明在常规的槽型场氧器件基础上,采用埋于整个衬底表面的N+漏区,器件开态时,载流子直接通过漏区N+和源区N+间的N-漂移区运动,较常规槽型场氧结构大大降低了载流子的漂移距离,从而有效降低器件在开态时候的导通电阻。该结构同样适用于基于SOI技术的功率器件。

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