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[00033113]双轴张应变GeSnn沟道金属氧化物半导体场效应晶体管

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201310752794.2

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 重庆大学

所在地:重庆 重庆市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要:本发明提供一种带有双轴张应变的GeSnn沟道MOSFET。该MOSFET(10)包括衬底(101)、源极和漏极(102,103)、GeSn沟道(104)、绝缘介电质薄膜(105)以及栅电极(106)。源漏区域材料的晶格常数比GeSn沟道材料的晶格常数大,GeSn沟道形成XY面内的双轴张应变。这种应变有利于沟道GeSn材料由间接带隙结构变为直接带隙结构,电子迁移率大大提高,从而提高MOSFET性能。

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