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[00033114]一种有机薄膜晶体管的制备方法
联系人： 重庆大学
所在地：重庆 重庆市
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技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种有机薄膜晶体管的制备方法，它包括SiO2/Si基片的预处理，还包括基片的自组装处理：将十八磷酸溶于四氢呋喃中，配制1mmol/L的溶液，用提拉法在预处理的SiO2/Si基片上生长十八磷酸膜；真空蒸镀有机模板层：将自组装有十八磷酸膜的基片置于真空蒸镀仪中，在真空压力小于1×10-4Pa下，在基片温度25-80℃下，蒸镀5~15nm 6,13-并五苯吡嗪（DAP）分子层；然后，在基片温度25-110℃下，蒸镀80nm红荧烯层，最后真空蒸镀金电极，制得红荧烯有机薄膜晶体管器件。本发明的优点是：能获得有序的晶体状红荧烯有机薄膜，提高了红荧烯有机薄膜晶体管的载流子迁移效率。
