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[00033614]快速制备3C-SiC外延膜方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他新材料技术

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201410423183.8

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 武汉理工大学

所在地:湖北 武汉市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要:本发明公开了一种快速制备3C-SiC外延膜方法,其特征是将激光引入到传统CVD方法制备碳化硅外延膜即SiC薄膜,通过控制激光的输出功率,修饰基板表面形成纳米级微台阶,为薄膜形成初期提供大量成核点;同时激光也为薄膜的生长提供有效的光子活化和加热方式,使SiC薄膜的生长速度大幅度提高;通过控制激光光斑大小得到1-4英寸的SiC薄膜制品。本发明由于利用激光的光、热效应促使前驱体反应,使前驱体利用率和反应速率大幅度提高,在制备大尺寸3C-SiC薄膜的同时又保证了薄膜的均匀性。

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