[00034578]导电基底负载双金属锗酸盐纳米片的储能材料制备方法
交易价格:
面议
所属行业:
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201710335097.5
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
西安交通大学
所在地:陕西 西安市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一种导电基底上负载双金属锗酸盐纳米片复合储能材料的制备方法,先通过水热反应的方法在导电基底表面生长直立的双金属锗酸盐纳米片,然后在氮气中煅烧后即可获得导电表面生长直立的双金属锗酸盐纳米片的复合材料;本发明的特点是采用简单的化学合成手段,制备出具有高比表面积、导电性好、容量和稳定性均优于传统材料的导电基底上负载双金属锗酸盐纳米片复合储能材料。