[00034586]一种TiO_x/Al₂O₃/TiO_x三明治叠层阻变随机存储器薄膜及其制备方法

交易价格： 面议

所属行业： 其他电气自动化

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610446071.3

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：西安交通大学

所在地：陕西西安市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种TiO_x/Al₂O₃/TiO_x三明治叠层阻变随机存储器薄膜及其制备方法，用于提高RRAM的性能。它是结合原子层沉积和磁控溅射技术来实现介质层结构厚度的精确控制及电极的制备，形成TiO_x/Al₂O₃/TiO_x多层结构，超薄Al₂O₃介质层的插入可显著抑制TiO_x的晶化，增大器件的电阻，减小漏电电流，提高开关比。本发明的技术思路简单清晰，阻变性能优良。本发明公开了采用原子层沉积法制备叠层式阻变存储材料，增强阻变性能的技术思路。

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