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[00034596]一种LED垂直芯片结构及制作方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201310156642.6

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 西安交通大学

所在地:陕西 西安市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明涉及公开了一种LED垂直芯片结构及制作方法,所述LED垂直芯片结构自下到上依次设有衬底、石墨烯层、ZnO纳米墙/GaN层、n‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱及p‑GaN。相比传统蓝宝石衬底LED芯片,发光面积大,散热能力强,不存在电流拥堵效应。同时,由于此LED垂直芯片为直接外延生长,相较于剥离‑键合工艺制备的垂直结构LED,省去了剥离和键合工艺,使得工艺简化、成品率高。

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