[00034596]一种LED垂直芯片结构及制作方法
交易价格:
面议
所属行业:
其他电气自动化
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201310156642.6
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
西安交通大学
所在地:陕西 西安市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及公开了一种LED垂直芯片结构及制作方法,所述LED垂直芯片结构自下到上依次设有衬底、石墨烯层、ZnO纳米墙/GaN层、n‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱及p‑GaN。相比传统蓝宝石衬底LED芯片,发光面积大,散热能力强,不存在电流拥堵效应。同时,由于此LED垂直芯片为直接外延生长,相较于剥离‑键合工艺制备的垂直结构LED,省去了剥离和键合工艺,使得工艺简化、成品率高。