[00034607]基于高阻ZnO薄膜的光电导型X射线探测器及其制备方法
交易价格:
面议
所属行业:
其他电气自动化
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201610280939.7
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
西安交通大学
所在地:陕西 西安市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种基于高阻ZnO薄膜的光电导型X射线探测器及其制备方法,包括壳体、两条引线、以及设于壳体内且自上到下依次设置的电极层、ZnO膜层及衬底基片,所述电极层由若干等间距分布的Al膜组成,其中一个引线与一部分Al膜相连接,另一个引线与另一部分Al膜相连接,与且两个引线连接的Al膜交错分布。本发明具有低噪声、高灵敏度、快速响应特性,制备成本较低。