[00034611]一种复合高k绝缘层薄膜晶体管结构及其制备方法
交易价格:
面议
所属行业:
其他电气自动化
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201610512028.2
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
西安交通大学
所在地:陕西 西安市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种复合高k绝缘层薄膜晶体管结构及其制备方法,属于平板显示器制造技术领域。复合高k绝缘层薄膜晶体管的结构包括沉积在基板上的栅电极,在栅电极上连续沉积三层复合绝缘层薄膜,然后在绝缘层上再溅射沟道层薄膜和源漏电极,沟道宽度为20~100μm。该复合高k绝缘层薄膜晶体管为底栅极结构,该复合绝缘层可以在保证绝缘耐压性能的前提下,降低绝缘层厚度,提高其介电常数,进而降低器件的开启电压和饱和电压,应用于TFT‑LCD中可以缩短响应时间,降低功耗,提高工作效率。