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[00036219]一种采用原子层沉积原位制备超顺磁Fe3O4纳米管阵列的方法

交易价格: 面议

所属行业: 化工生产

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201510041756.5

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 西安交通大学

所在地:陕西 西安市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明公开了一种采用原子层沉积原位制备超顺磁Fe3O4纳米管阵列的方法,属于纳米管阵列制备技术领域。包括以下步骤1)将洁净的AAO基片送入原子层沉积设备中,备用;2)将二茂铁蒸汽和氧气通入原子层沉积设备的载气系统,然后由载气系统送入真空反应腔体中,在氮气氛围中,开启原子层沉积循环,重复该循环数次,直至在AAO基片的表面和孔洞中生成均匀的Fe3O4薄膜;3)抛光去除AAO基片表面的Fe3O4薄膜;4)用碱溶液将AAO基片溶解后去除,得到排列整齐的Fe3O4纳米管阵列。本发明方法操作简单,原料来源广,易实现,可以原位生长获得纵横比很大的,排列整齐,形貌和大小都非常均匀的超顺磁Fe3O4纳米管阵列。

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