[00036441]一种低残硅尺寸和含量的反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法
交易价格:
面议
所属行业:
建筑材料
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201710287236.1
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
西安交通大学
所在地:陕西 西安市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一种低残硅尺寸和含量的反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法,以短碳纤维作为一种缓释碳源,添加碳化硼粉末促进素坯渗硅充分。通过添加质量分数68.2~33.2%的碳化硅粉末,6.8~41.8%的短碳纤维,15%的碳化硼粉末和10%的酚醛树脂为原料,依次进行纤维预处理,分级混料,双向加压压制成型,烘干固化,反应烧结;该方法工艺简便,通过特殊的碳源选择和一定的原料成分配比制备出残硅相尺寸小、含量低的高力学性能的反应烧结碳化硅复合陶瓷。