[00036456]一种致密碳化硅陶瓷的制备方法
交易价格:
面议
所属行业:
建筑材料
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201010149583.6
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
西安交通大学
所在地:陕西 西安市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种致密碳化硅陶瓷的制备方法
碳化硅陶瓷特征在于,利用纯碳化硅或反应化合生成碳化硅的物质源在2250~2500℃下所发生的分解、化合反应,采用高温物理气相传输技术,以及对气相重新结晶排列堆积过程的控制,实现碳化硅晶体颗粒之间的紧密堆积,获得高致密度的多晶体块体陶瓷。采用本发明方法制备得到的碳化硅陶瓷,晶体之间依靠纯碳化硅界面直接结合,碳化硅晶体颗粒通过晶体择优取向定向排列紧密堆积,其体积密度可接近理论密度。