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[00036539]一种低维氮化硅纳米材料的制备方法
联系人： 西安交通大学
所在地：陕西 西安市
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技术详细介绍
本发明公开了一种低维氮化硅纳米材料的制备方法，包括以下步骤1)将SiO粉末置于坩埚底部，分别将纳米碳粉、碳纳米管、碳纤维等材料置于坩埚中部，再将坩埚放在多功能烧结炉中，抽真空至真空度低于10‑3Pa；2)向多功能烧结炉内充入高纯氮气，气氛压力为0.225～0.5MPa；3)多功能烧结炉升温至1650℃～1850℃，保温1～3小时进行气固反应，得到尺寸形貌可控的Si3N4纳米颗粒、纳米管、纳米纤维等低维纳米材料。该制备方法工艺简便，成本低廉，不产生污染环境的气体。本发明获得的低维氮化硅纳米材料可以广泛应用于纳米场发射器件、纳米光电子器件和纳米复合材料等领域。
