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[00039799]ICP刻蚀GaN基多量子阱制备纳米阵列图形的方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201210492605.8

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 南京大学

所在地:江苏 南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

ICP刻蚀GaN基多量子阱制备纳米阵列图形的方法,包括以下步骤:取一衬底,衬底的材料为硅、蓝宝石或氮化镓;在衬底依次外延生长GaN缓冲层,n型GaN层、InGaN/GaN量子阱层和P型GaN,形成初步的GaN基片;量子阱层整个厚度约50nm-200nm,周期数为2-10;在GaN基片上采用PVD进行蒸镀金属层;对蒸镀生长金属层的基片进行高温退火;利用ICP刻蚀工艺,刻蚀GaN基片直至n型GaN层或部分n型GaN层;形成InGaN/GaN纳米柱。

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