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[00039801]ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201710093149.2

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 南京大学

所在地:江苏 南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

一种ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED,以纳米图形化(PSS)蓝宝石作为外延基底,使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层,以ZnO外延层作为高品质导电衬底,后续生长GaN紫外LED外延,LED芯片经剥离和转移后,形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED。新型的垂直结构型GaN紫外LED,可降低器件成本,并提高GaN紫外LED的出光效率。形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED,剥离工艺简单,成本低,有利于实现柔性衬底的照明工程。

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