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[00039805]一种利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201310256681.3

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 南京大学

所在地:江苏 南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法,在氮化镓衬底上生长介质薄膜,利用紫外软压印双层胶剥离技术得到金属有序纳米柱(孔)结构,通过反应离子刻蚀方法得到直径变化可调的介质纳米柱(孔)结构,并利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀得到直径不同的氮化镓有序纳米柱(孔)阵列。在氮化镓衬底上生长包括SiO2、SiNx的一层介质薄膜,将PMMA和紫外固化胶依次旋涂在衬底样品表面;利用紫外软压印技术在紫外固化胶上形成大面积、低缺陷的有序纳米孔(柱)阵列结构,接着利用反应离子刻蚀技术刻蚀残余胶和PMMA,随后蒸镀金属薄膜剥离得到金属纳米柱(孔)阵列结构。反应离子刻蚀方法刻蚀介质薄膜层结构,得到直径变化可调的介质纳米柱(孔)结构。

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