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[00039807]一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN200510094747.9

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 南京大学

所在地:江苏 南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法,利用MOCVD在(100)铝酸锂衬底上合成生长GaN薄膜材料以及InGaN/GaN量子阱LED器件结构,在MOCVD系统中对生长的(100)铝酸锂衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理,在一定500-1050℃温度范围通入载气N2,氨气以及金属有机源,在(100)铝酸锂衬底上合成生长m面的GaN材料,再在该GaN材料上以500-1050℃生长N型层M面GaN,以及分别以700-900℃和600-800℃生长层厚分别为15-20nm和5-15nm的5-10个周期的m面GaN/m面InGaN量子阱结构,最后生长一层m面P型层GaN。

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