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[00039841]一种基于非自对准CMOS结构的太赫兹探测器

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201510354750.3

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 南京大学

所在地:江苏 南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

基于非自对准CMOS工艺的MOSFET结构的太赫兹探测器,p型衬底209上两个n型掺杂区分别为源极区和漏极区,源极区和漏极区的中央上面为SiO2层,重掺杂多晶硅区为栅极,SiO2层置于栅极与衬底之间,MOSFET源端区域与漏端区域相对于多晶硅栅非对称分布;MOSFET源端区域的LDD扩散到栅极区域下的长度小于漏端区域的LDD扩散到栅极下的长度;或者是MOSFET源端区域的LDD扩散到栅极区域下的长度小于采用自对准工艺技术生产的传统MOSFET的源端区域的LDD

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