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[00039864]一种高介电系数复合氧化物电荷存储介质薄膜及应用
联系人： 南京大学
所在地：江苏 南京市
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技术详细介绍
一种高介电系数复合氧化物电荷俘获介质薄膜，其化学组分是两种或两种以上高介电系数氧化物的混合物；复合氧化物薄膜呈非晶状态；复合氧化物薄膜的化学组分用化学式(AOm)x(BOn)1-x来表示，其中0.001≤x≤0.999，m、n由元素A、B的化学价态确定，A、B是+1价、+2价、+3价、+4价、+5价或+6价的金属离子；如Ta2O5、TiO2、Al2O3、ZrO2、La2O3、HfO2。利用具有不同配位数的高介电系数金属氧化物间形成的高缺陷态密度来提高电荷俘获介质的电荷存储密度，有利于电荷俘获型半导体存储器件的进一步小型化。
