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[00039870]一种改进氢化物气相外延生长GaN材料均匀性的方法和装置

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN200810019104.1

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 南京大学

所在地:江苏 南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

改进氢化物气相外延生长GaN材料均匀性的方法,在HVPE生长过程中,将GaCl或者NH3源气体通过石英喷淋头均匀喷洒在生长衬底的表面上。喷淋头由均匀分布的小孔组成石英板喷淋头,石英板喷淋头与生长衬底平行。本发明通过特别的设计控制源气体GaCl或者NH3在衬底表面的均匀分布,从而改善衬底上方发生反应的源气体的分布更加均匀合适。矩形(方形)结构的喷淋头设计,可以使得气流分布的更加均匀,样品无需旋转。

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