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[00039872]InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN200710191199.0

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 南京大学

所在地:江苏 南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜,InN材料作衬底或缓冲层,并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜,InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上,在其上制备单层或n层锗或硅薄膜,每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200-1150℃生长温度范围内,采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9%)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。

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