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[00039875]一种GaN纳米结构阵列生长方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201611113575.X

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 南京大学

所在地:江苏 南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

一种制备GaN纳米结构阵列的方法,利用CVD设备和石墨烯插入层及低温GaN缓冲层升华法生长GaN纳米结构阵列;衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅),衬底清洗后,先覆盖单层或多层石墨烯薄膜;将覆有石墨烯薄膜的衬底放入CVD管式炉生长系统中,开始GaN纳米结构生长;先在低温下生长GaN缓冲层,然后升温至高温开始生长GaN纳米阵列;缓冲层生长温度500–1000℃,纳米线阵列生长温度1000‑1150℃;高纯N2作为载气,总N2载气流量0.5‑5slm。

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