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[00039876]利用硼磷共掺提高纳米硅材料中的磷掺杂浓度的方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201610835042.6

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 南京大学

所在地:江苏 南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

利用硼磷共掺技术提高纳米硅基薄膜中磷的掺杂浓度效率的方法,步骤如下1)利用PECVD制备掺杂纳米硅/二氧化硅多层膜材料;2)通过交替进行非晶硅层沉积/原位氧化两个过程,能够获得掺杂纳米硅/二氧化硅(a‑Si/SiO2)多层膜材料;控制非晶硅层沉积/原位氧化的时获得a‑Si/SiO2多层膜的厚度;3)对制备的a‑Si/SiO2多层膜进行脱氢处理;4)脱氢后对进行氮气氛围下的高温退火处理,使多晶硅结晶形成纳米硅,并激活杂质原子进入纳米硅内部,实现纳米硅的掺杂;制备成共掺杂的纳米硅/二氧化硅多层膜。

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