[00039900]一种二维斯格明晶体的制备方法
交易价格:
面议
所属行业:
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201510688564.3
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
南京大学
所在地:江苏 南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一种二维斯格明晶体的制备方法,将纳米磁性圆盘直接放到垂直各项异性材料上面,利用磁性材料之间的退磁能、交换能、各向异性能的相互作用的竞争获得斯格明晶体结构。尤其是钴的纳米磁性圆盘阵列放置到钴铂合金平面上,通过施加平行于薄膜表面且互相垂直的组合磁场的方法,使得纳米磁性圆盘阵列的每个磁性圆盘磁化的旋转方向统一。