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[00040735]一种表征小尺寸CMOS器件中界面态和氧化层陷阱局域分布的方法

交易价格: 面议

所属行业: 检测仪器

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201410026053.0

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 南京大学

所在地:江苏 南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

表征小尺寸CMOS器件中界面态和氧化层陷阱局域分布的方法,步骤S1在纳米级CMOS器件中,测量不同源漏电压VDS条件下的阈值电压VTH、线性区漏极电流ID,得到初始阈值电压VTH、漏极电流ID随VDS变化的分布;S2使CMOS器件产生由退化引起的界面态及氧化层陷阱;S3测量CMOS器件退化后线性区漏极电流ID随源漏电压VDS的分布ID(VDS)e,S4基于短沟道CMOS器件中的DIBL效应,S5并通过数值计算转换成CMOS器件中退化引起的界面态和氧化层陷阱沿沟道的局域分布N(Y)。

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