[00040821]无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器及其制备方法

交易价格： 面议

所属行业： 检测仪器

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201510781080.3

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明提出了一种无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器，在AlInN/GaN异质结基片上蒸镀有电极，还包括钝化层，所述钝化层覆盖整个源端电极、源端电极PAD与漏端电极、漏端电极PAD，在覆盖源端电极PAD与漏端电极PAD的钝化层上刻蚀出窗口，深度至PAD显露；还包括离子印迹聚合物层，所述离子印迹聚合物层位于AlInN层上，含有印迹孔穴。还公开了无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器的制备方法。本发明制备的导电高聚物纳米复合材料具有单一离子识别的性能，可以提高器件的选择性吸附、抗干扰能力；与AlGaN/GaN场效应晶体管传感器相比，其电流响应更大，具有高灵敏性的特点。

[00040821]无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器及其制备方法

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