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[00041075]一种制备GaN薄膜材料的方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他新材料技术

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201210316953.X

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 南京大学

所在地:江苏 南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

制备GaN薄膜材料的方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍(Ni)薄膜,退火得到纳米Ni颗粒,然后采用电感耦合等离子体刻蚀(ICP)方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN,形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底。在此纳米结构复合衬底上进行GaN的氢化物气相外延(HVPE)生长得到低应力高质量的GaN薄膜或者自支撑GaN衬底材料。本发明获得低应力高质量GaN薄膜材料。

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