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[00041086]一种布拉格反射镜增强InGaN电极、制备与利用

交易价格: 面议

所属行业: 专用化学

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201410026998.2

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 南京大学

所在地:江苏 南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明涉及一种分布布拉格反射镜增强InGaN的电极,在衬底从下至上依次包括GaN层、厚度50nm-5um,InGaN层、10nm-1um,从InGaN层暴露出的部分GaN层上设有n电极;衬底另一面为DBR层;所述DBR层由高折射率材料和低折射率材料交替组合构成。GaN层厚度1-5μm、InGaN层厚度100-500nm;DBR层为8-16周期,高折射率与低折射率的材料两者厚度分别为40-70nm和60-90nm。利用生长DBR布拉格反射镜在InGaN电极背面来增强光催化分解水效率的方法,实现了较低的暗电流和低开启电压。

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