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[00043332]TiO2量子点复合MoS2纳米花异质结半导体材料及其制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 纳米及超细材料

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201410598134.8

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 华东师范大学

所在地:上海 上海市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要:本发明公开一种TiO2量子点复合MoS2纳米花异质结半导体材料,其包括MoS2纳米花和TiO2纳米颗粒;所述TiO2纳米颗粒均匀且大量分布在所述MoS2纳米花的表面,在花瓣上具有良好复合;所述TiO2纳米颗粒相呈点状密集分布。为本发明还公开了TiO2量子点复合MoS2纳米花异质结半导体材料的制备方法,采用两步溶剂热法使MoS2纳米花上均匀生长出点状TiO2纳米颗粒,得到良好复合形貌的材料。本发明制备方法具有操作简单,产量高,制备成本低等优点。本发明材料在光催化工业废水和场发射领域有极大发展应用潜力。

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