X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
APP下载
欢迎光临,请  登录  |  注册
尊敬的,欢迎光临!  [会员中心]    [退出登录]
成果
成果 专家 院校 需求 政策
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00043548]锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器及其制备、使用方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201610080392.6

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 河南大学

所在地:河南 开封市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
分享
|
收藏
|

技术详细介绍

摘要:本发明公开了一种锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器,包括Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层和设置在Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层上表面的YMO薄膜台阶层,YMO薄膜台阶层包括YMO薄膜厚层和YMO薄膜薄层,YMO薄膜台阶层的上表面设置有金属上电极层,Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层中的Pt层作为下电极层。本发明具有工作特性高度稳定、低能耗、可反复循环使用的优点,能够有效克服信息存储过程中产生的耗电和散热问题,同时具有优良的循环耐受性、保持特性和擦写速度。

推荐服务:

龙岩市科技创新服务平台

福建省龙岩市龙岩大道1号市行政办公中心

联系方式:0597-2601001,400-649-1633

|    关于我们    |    帮助中心    |

Copyright © 2019 龙岩市科技开发与科技特派员服务中心 版权所有

闽ICP备20015298号-1

闽公网安备 35080202351102号