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[00044432]增强薄膜太阳电池光子吸收效率的方法以及薄膜太阳电池结构

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201710398037.8

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 浙江工业大学

所在地:浙江 杭州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明涉及一种提高薄膜太阳电池光子吸收效率的方法,具体步骤如下1取一薄膜太阳电池所用的外延片,对外延片进行清洗;2在电池的背表面热蒸发导电极;3在导电极层上面外延沉积一层二氧化硅层;4在二氧化硅外延层上悬涂光刻胶;5对光刻胶进行前烘,形成样品;6在光刻胶上制作二维光子晶体掩膜图形;7对形成掩膜图形的样品进行后烘;8对烘好的样品进行干法刻蚀,将光刻胶上光子晶体图形转移至二氧化硅上;9去除掩膜胶;10在制作好光子晶体图形的衬底上沉积硅材料,填充光子晶体孔洞;11采用PECVD沉积工艺交替沉积若干层Si/SiO

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