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[00047699]四方型结构SnO*单分散纳米单晶及合成方法

交易价格: 面议

所属行业: 纳米及超细材料

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:200510019926.6

交易方式: 许可转让

联系人: 华中师范大学

所在地:湖北 武汉市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

  一种四方型结构SnO2单分散纳米单晶及合成方法。该SnO2单分散纳米单晶为棒状结构纳米单晶,其直径为5-50纳米,长度为50-0300纳米。其方法是将四氯化锡溶解于盐酸溶液,混合均匀后,放入高压釜中,充空气至压力为0.1-1.5兆帕作为预压,在200-400℃下保温4-8小时,直接得到四方型结构SnO2单分散纳米单晶。本发明的特点是利用溶液的酸度和预压,提高前驱体水解温度,使其在高温下水解,由于此时系统处于高压力下,SnO2分子结晶时沿被限定的晶面,择优生长,且直接长成密度最大的、几乎无缺陷的四方型结构SnO2纳米单晶。该晶体用作锂离子电池负极材料,可有效提高电池的充电效率和使用寿命,用作发光器件和发射装置,可提高其发光效应和性能。

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