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[00049954]Li掺杂生长p型透明导电Ni1-xMgxO晶体薄膜
联系人： 太原理工大学
所在地：山西 太原市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一种Li掺杂生长p型透明导电Ni1-xMgxO晶体薄膜的方法（专利号201210541828.9），是采用脉冲激光沉积法，将NiO、MgO和Li2CO3粉末球磨混合后，压型并高温烧结，制得掺Li的Ni1-xMgxO陶瓷靶材；再将陶瓷靶材与衬底置入脉冲激光沉积装置，调整靶材与衬底间距，在适当的衬底温度、氧气压强和激光频率下进行生长，后冷却至室温，获得Li掺杂Ni1-xMgxO晶体薄膜。本发明方法所制备的晶体薄膜呈p型电导，具有低电阻率、高透射率、高载流子迁移率和带隙连续可调等优良特性；而且方法简单，实现了实时掺杂，掺杂浓度通过调节生长温度和靶材中Li和Mg的含量来控制，得到的薄膜在透明电子和光电子器件等领域具有广泛的应用前景。
