[00050132]一种Zn1-xMgxO基异质结及其制备方法

交易价格： 面议

所属行业： 其他电子信息

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：201210541857.5

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：太原理工大学

所在地：山西太原市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

　　一种Zn_1-xMg_xO基异质结及其制备方法（专利号201210541857.5），其所述异质结是由衬底上的n-Zn_1-xMg_xO薄膜层和p-Ni_1-yMg_yO薄膜层构成；其所述方法是将ZnO、MgO与Al₂O₃粉末，或者ZnO、MgO与Ga₂O3粉末混合后压制成型并烧结，制得掺Al或Ga的Zn_1-xMg_xO陶瓷靶材；将NiO、MgO和Li₂CO₃粉末混合后压制成型并烧结，制得掺Li的Ni_1-yMg_yO陶瓷靶材；将衬底置于脉冲激光沉积装置，调整靶材与衬底间距离，在适当的衬底温度、氧气压强和激光频率下，以掺Al或Ga的Zn_1-xMg_xO陶瓷靶为溅射靶材，在衬底上沉积n-Zn_1-xMg_xO薄膜层；然后以掺Li的Ni_1-yMg_yO陶瓷靶为溅射靶材，在n-Zn_1-xMg_xO薄膜层上沉积p-Ni_1-yMg_yO薄膜层，获得Zn_1-xMg_xO基异质结。本发明方法简单，成本低廉，生长条件易控且界面晶格匹配性好，有利于提高器件的性能，所获得的Zn_1-xMg_xO基异质结在短波长光电子器件和透明电子学领域具有广泛的应用前景。

[00050132]一种Zn1-xMgxO基异质结及其制备方法

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