X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
APP下载
欢迎光临,请  登录  |  注册
尊敬的,欢迎光临!  [会员中心]    [退出登录]
成果
成果 专家 院校 需求 政策
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00050432]一种锗衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法

交易价格: 面议

所属行业: 合成化学

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201310106758.9

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 太原理工大学

所在地:山西 太原市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
分享
|
收藏
|

技术详细介绍

一种Ge衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法(专利号:CN201310106758.9)是将Ge片依次置于丙酮和甲醇中分别超声,再在去离子水中超声,后在HF酸溶液中刻蚀,再在去离子水中超声,完成Ge片的表面预处理;将预处理后的Ge(001)片置入生长室,升温,去除Ge衬底表面的氧化物,得到清洁的Ge(001)表面;然后调节Ge片温度,通入氧源,打开金属源进行生长,生长一定时间后,获得一种Ge衬底上生长的单晶氧化物薄膜。本发明在Ge衬底上外延生长单晶薄膜,得到理想的界面,从而大大降低界面态密度,解决Ge基MOS器件的界面问题。

推荐服务:

龙岩市科技创新服务平台

福建省龙岩市龙岩大道1号市行政办公中心

联系方式:0597-2601001,400-649-1633

|    关于我们    |    帮助中心    |

Copyright © 2019 龙岩市科技开发与科技特派员服务中心 版权所有

闽ICP备20015298号-1

闽公网安备 35080202351102号