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联系人: 太原理工大学
所在地:山西 太原市
一种Ge衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法(专利号:CN201310106758.9)是将Ge片依次置于丙酮和甲醇中分别超声,再在去离子水中超声,后在HF酸溶液中刻蚀,再在去离子水中超声,完成Ge片的表面预处理;将预处理后的Ge(001)片置入生长室,升温,去除Ge衬底表面的氧化物,得到清洁的Ge(001)表面;然后调节Ge片温度,通入氧源,打开金属源进行生长,生长一定时间后,获得一种Ge衬底上生长的单晶氧化物薄膜。本发明在Ge衬底上外延生长单晶薄膜,得到理想的界面,从而大大降低界面态密度,解决Ge基MOS器件的界面问题。
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