[00051163]一种应用于存储单元的延时控制电路以及静态随机存储器

交易价格： 面议

所属行业： 其他电子信息

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201210428299.1

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：苏州大学

所在地：江苏苏州市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

登录后向技术服务商咨询

咨询平台客服试试在线客服吧发布技术需求交易系统

技术详细介绍

摘要：本发明提供了一种应用于存储单元的延时控制电路，包括：控制分压电路、选择电路以及下拉电路，当电压Vcc大于第一预设值时，下拉电路中的第一NMOS管以及第二NMOS管工作在饱和区，当电压Vcc小于第二预设值时，第二NMOS管工作在亚阈值区。本发明提供的延时控制电路能够在较低的工作电压时，保证第二NMOS工作在亚阈值区域，漏电流很小，可以实现对虚拟位线DBL的放电速度的降低，从而实现对灵敏放大器控制信号SAEN的延迟，可以保证SAEN信号到达时，存储阵列的读出BL和BLB有比较大的易于放大器读出的压差deltav，保证电路功能正确，没有逻辑错误。

[00051163]一种应用于存储单元的延时控制电路以及静态随机存储器

技术详细介绍

推荐服务：