[00051246]基于磁温差电效应的传感器元件及其实现方法

交易价格： 面议

所属行业： 检测仪器

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201210419190.1

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：苏州大学

所在地：江苏苏州市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本发明公开了一种基于磁温差电效应的传感器元件及其实现方法，所述传感器元件包括若干位于磁场中的角形结构的温差电元件，所述温差电元件由具有温差电效应的磁性材料制成，温差电元件包括第一边、第二边以及两边相接形成的角部，所述角部处设有加热装置，所述第一边和第二边的另一端所在区域温度小于或等于周围环境温度。本发明的传感器元件结构及其制造工艺简单、性能稳定，能够加工成各种形式和大小的尺寸，可用于开发不同种类的磁场传感器，特别是可能用于开发超高密度磁性信息存储的新一代读出磁头，在包括信息存储在内的众多领域获得广泛的应用。

[00051246]基于磁温差电效应的传感器元件及其实现方法

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