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[00051647]一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管环形太赫兹探测器天线

交易价格: 面议

所属行业: 自动化应用

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201410134315.5

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 天津工业大学

所在地:天津 天津市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要:本发明公开了一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管(FET)环形太赫兹(THz)探测器天线,属于天线领域。本发明包括环形天线,Si基FET,低噪声放大器;其中环形天线用于接收THz波,同时把接收到的THz波转化为电信号给FET,FET把高频信号转化为低频信号给低噪声放大器,信号经过低噪声放大器后最终能实现对THz信号的探测。本发明在安保扫描、射电天文、生物遥感、生产监控等领域具有重要应用。

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