[00055619]铜铟镓硒薄膜电池的制备方法
交易价格:
面议
所属行业:
其他电气自动化
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201010278999.8
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
中国科学院深圳先进技术研究院
所在地:广东 深圳市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一种铜铟镓硒薄膜电池的制备方法,包括如下步骤:在玻璃衬底的一侧形成金属背电极层;从玻璃衬底远离该金属背电极层的一侧发射穿透玻璃衬底的第一激光束,以形成穿透金属背电极层的第一刻槽;在金属背电极层上及第一刻槽表面形成铜铟镓硒光吸收层;在铜铟镓硒光吸收层上形成缓冲层;在缓冲层上形成阻挡层;发射第二激光束,以在阻挡层上蚀刻形成深入至金属背电极层的第二刻槽;在阻挡层和第二刻槽表面形成窗口层;发射第三激光束,以在窗口层上蚀刻形成深入至金属背电极层的第三刻槽。上述方法制备的铜铟镓硒薄膜电池具有不易短路的优点。