X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
APP下载
欢迎光临,请  登录  |  注册
尊敬的,欢迎光临!  [会员中心]    [退出登录]
成果
成果 专家 院校 需求 政策
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00060503]双色铟镓砷红外探测器及其制备方法和应用

交易价格: 面议

所属行业:

类型: 专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN200610034286.0

交易方式: 完全转让

联系人: 华南师范大学

所在地:广东 广州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
分享
|
收藏
|

技术详细介绍

  本发明涉及一种双色铟镓砷(InGaAs)红外探测器,是在铟磷((InP)衬底上依次生长有InX Ga1-X As材料的适合探测3-5μm红外线波的光导层、绝缘层,适合探测1-3μm红外线波的PIN结构的InGaAs材料层。所述的红外探测器的制备方法是用金属有机气相淀积技术在InP衬底上生长InGaAs材料,制备一种对1-3μm、3-5μm两个波段同时探测的红外外延片,再用该外延片制造两个波段的红外探测器。该红外探测器可以用于制备多方向测量红外信号器件。

推荐服务:

龙岩市科技创新服务平台

福建省龙岩市龙岩大道1号市行政办公中心

联系方式:0597-2601001,400-649-1633

|    关于我们    |    帮助中心    |

Copyright © 2019 龙岩市科技开发与科技特派员服务中心 版权所有

闽ICP备20015298号-1

闽公网安备 35080202351102号