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[00060557]一种紧凑型感应耦合低温等离子体干法刻蚀系统
联系人： 华南师范大学
所在地：广东 广州市
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技术详细介绍
本发明的目的就是为了克服现有湿法刻蚀化合物半导体特别是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体时所产生的精度差、刻蚀速率低、选择性差、对被刻蚀损伤大等的缺点而发明的一种能高速率、低损伤、高精度及具有良好选择性的亚微米级精细图形的刻蚀系统及方法，本发明是一种能刻蚀精细图形、不影响半导体性能、器件特性及使用寿命，并且精度高、刻蚀速率高、选择性好、损伤小的紧凑型感应耦合低温等离子体（ICP）干法刻蚀系统及刻蚀方法。主要对半导体化合物尤其是Ⅲ-Ⅴ族化合物的干法刻蚀。
本发明是一种紧凑型感应耦合低温等离子体（ICP）干法刻蚀系统及刻蚀方法，主要应用于Ⅲ-Ⅴ族化合物的刻蚀。属于半导体设备及技术，特别涉及刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物的气体成分，配气及工艺过程。其主要由射频RF偏置功率源、基片台、ICP耦合天线、磁控线圈、反应室、配气装置等共同连接而成。其工作原理是射频RF通过感应天气耦合将反应室中气体离解成具有高活性的基因，这些高活性基团在偏置电源和磁场的约束下轰击待刻蚀基片表面，与基片上的待刻蚀物质发生表面物理化学反应，反应的合成物被真空装置抽走，达到干法刻蚀的目的。
技术及性能指标：待刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物为InSb；刻蚀气体Cl2、H2、Ch4、BCl3、CCl4、PCl3、氟利昂24-CHClF2中的一种或几种混合气体；RF功率200~400W，RF偏置功率100~900W，磁场1×10-4~1T，反应室气压10-2~10-3Torr，气体流量2~6毫升/分钟，配气比0.1~0.9；刻蚀速率约100nm/min。
