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[00062546]一种GaN基垂直结构发光二极管及其制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:ZL201010116025.X

交易方式: 完全转让

联系人: 厦门大学

所在地:福建 厦门市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

  一种GaN基垂直结构发光二极管及其制备方法,涉及一种发光二极管。从下到上依次为蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、第1掺硅GaN层、5~10个周期的n-InGaN/n-AlGaN或n-AlGaN/n-GaN超晶格层、第2掺硅GaN层、5个周期的固定或渐变组分InGaN/GaN量子阱、掺镁AlGaN层、掺镁GaN层、5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层、p-InGaN盖层。将蓝宝石衬底装入反应室,对衬底依次进行热处理和氮化处理后依次生长GaN缓冲层至p-InGaN盖层,退火后得GaN基垂直结构发光二极管。

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