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本申请公开了一种半导体器件及其制备方法,其中,所述半导体器件包括衬底;位于所述衬底表面的底电极;位于所述底电极背离所述衬底一侧表面的多铁薄膜;位于所述多铁薄膜背离所述底电极一侧表面的顶电极。通过测试所述半导体器件的I‑V曲线可以发现,所述半导体器件在不同外界电压下均表现出良好的双极阻变效应,最高与最低电阻比值可达102,而且具有很好的可重复性。当外界最大电压为10V时,所述半导体器件的双极阻变效应在重复30次之后仍然非常明显。
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