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[00065926]一种深紫外LED

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201710600453.1

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 厦门立德软件公司

所在地:福建 厦门市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本申请提供一种深紫外LED,包括衬底;位于所述衬底表面的未掺杂的缓冲层;位于所述未掺杂的缓冲层背离所述衬底表面的N型AlGaN层;位于所述N型AlGaN层背离所述衬底表面的多量子阱结构;位于所述多量子阱结构背离所述衬底表面的V型Al组分渐变的P型AlGaN结构,所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构采用极化掺杂,且其中所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构中的Al组分与所述多量子阱结构的Al组分不同;位于所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构背离所述衬底表面的P型GaN层。由于V型Al组分渐变的P型AlGaN结构能够获得更高浓度的空穴,从而提高紫外LED的内量子效率和发射功率。

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