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本发明提供一种整流二极管薄膜器件,包括基底、复合在基底上的氧化物薄膜、设置在基底上的底电极和设置在所述氧化物薄膜上的顶电极;所述氧化物薄膜为Hf0.5Zr0.5O2薄膜。本发明中的Hf0.5Zr0.5O2薄膜器件具有明显的二极管效应,并且与CMOS工艺具有良好的兼容性,有利于开展大规模工艺生产。本发明还提供了一种整流二极管薄膜器件,本发明采用化学溶液沉积法制备Hf0.5Zr0.5O2薄膜,且相对其他二极管制备方法而言,本发明中的薄膜组分容易控制,制备方法简单,制备得到的薄膜器件整流特性明显。
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