X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
APP下载
欢迎光临,请  登录  |  注册
尊敬的,欢迎光临!  [会员中心]    [退出登录]
成果
成果 专家 院校 需求 政策
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00065935]一种整流二极管薄膜器件及其制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201710522800.3

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 厦门立德软件公司

所在地:福建 厦门市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
分享
|
收藏
|

技术详细介绍

本发明提供一种整流二极管薄膜器件,包括基底、复合在基底上的氧化物薄膜、设置在基底上的底电极和设置在所述氧化物薄膜上的顶电极;所述氧化物薄膜为Hf0.5Zr0.5O2薄膜。本发明中的Hf0.5Zr0.5O2薄膜器件具有明显的二极管效应,并且与CMOS工艺具有良好的兼容性,有利于开展大规模工艺生产。本发明还提供了一种整流二极管薄膜器件,本发明采用化学溶液沉积法制备Hf0.5Zr0.5O2薄膜,且相对其他二极管制备方法而言,本发明中的薄膜组分容易控制,制备方法简单,制备得到的薄膜器件整流特性明显。

推荐服务:

龙岩市科技创新服务平台

福建省龙岩市龙岩大道1号市行政办公中心

联系方式:0597-2601001,400-649-1633

|    关于我们    |    帮助中心    |

Copyright © 2019 龙岩市科技开发与科技特派员服务中心 版权所有

闽ICP备20015298号-1

闽公网安备 35080202351102号