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本发明公开一种肖特基栅场效应晶体管的制备方法,该方法首先在衬底上制备二维材料,将光刻胶旋涂在衬底和二维材料上,通过光刻曝光和显影之后,露出源漏电极窗口;镀上金属,洗掉光刻胶,然后在气体氛围中退火,形成源电极和漏电极;继续旋涂光刻胶在整片样品上,通过光刻曝光和显影之后,露出栅电极窗口;再镀上金属,洗掉光刻胶,形成肖特基栅场效应晶体管。该肖特基栅场效应晶体管具有尺寸小、开关比高、迁移率高以及能够很好地消除短沟道效应等优点,能够为拓宽二维材料器件的应用领域。
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