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摘要:本发明公开了一种暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法,采用简单的回流法,制备成暴露高能(001)晶面小尺寸六方相CdS超薄纳米片,CdS纳米片对角线尺寸为5~50nm、厚度为0.59~10nm。本发明操作简单,成本低,重复性好,所制备的暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片有望在光催化、太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。
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